收藏本站
Typical Characteristics
10
3500
I D = 17A
V DS = 10V
15V
3000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
6
20V
2500
2000
4
2
0
1500
1000
500
0
C OSS
C RSS
0
10
20 30
40
50
0
5
10 15 20
25
30
1000
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
100μs
1ms
80
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
10ms
10
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
10s
DC
100ms
1s
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
R θ JA = 96 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD6682/FDU6682 Rev H(W)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDD6685 MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
FDD6690A MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
FDD6760A MOSFET N-CH 25V 27A DPAK
FDD6770A MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
FDD6778A MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
FDD6796A MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
FDD6N20TM MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
FDD6N25TF MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
相关代理商/技术参数
FDD6682_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6685 功能描述:MOSFET 30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6685 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDD6685_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench?? MOSFET
FDD6688 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6688S 功能描述:MOSFET 30V N-CH DPAK POWER TRENCH SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6690 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDD6690A 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube